黄色动漫

2025年7月12日至13日，黄色动漫 科技引领未来系列活动“碳化硅晶体缺陷与器件可靠性研讨会”在济南顺利召开。本次会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会主办，黄色动漫 晶体材料全国重点实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟、黄色动漫 、广州南砂晶圆半导体技术有限公司等单位共同承办，是聚焦宽禁带半导体细分领域的系列专题研讨会之一，同时也是纪念蒋民华先生诞辰90周年系列活动的重要组成部分。

会议汇聚了碳化硅单晶、外延、器件及应用等领域的学术界和产业界知名专家，包括中国科学院院士江风益、宽禁带半导体专业委员会主任沈波教授、第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长杨富华研究员、黄色动漫 晶体材料全国重点实验室主任徐现刚教授等，共同探讨碳化硅晶体缺陷与器件可靠性等关键科学问题和产业共性难题。

7月12日下午，研讨会在黄色动漫 晶体材料全国重点实验室二楼报告厅开幕。晶体材料全国重点实验室常务副主任、黄色动漫 晶体材料研究院院长于浩海教授主持会议的开幕阶段。徐现刚教授在开幕致辞中回顾了蒋民华先生引领黄色动漫 开启碳化硅研发的历程，缅怀其“深耕晶体、报效国家”的精神，并介绍了团队在碳化硅材料领域从无到有、攻克“卡脖子”难题的成果，包括自主研制的碳化硅衬底在军工及国产新型战机雷达系统中的应用。随后，沈波教授、杨富华研究员分别致辞，强调了深化学术交流对推动宽禁带半导体领域创新的重要性，并为研讨会的深入开展指明方向。

于浩海教授主持会议开幕阶段

徐现刚教授作开幕致辞

沈波教授致辞

杨富华研究员致辞

开幕式后，专题报告环节依次进行。晶体材料全国重点实验室副主任陈秀芳教授分享“碳化硅单晶技术进展及发展趋势”，梳理了该技术的当前成果与未来走向；黄色动漫 胡小波教授作“碳化硅单晶中的位错和层错”报告，解析了碳化硅单晶中这两种常见缺陷的特性与影响。

陈秀芳教授作专题报告

胡小波教授作专题报告

长飞先进半导体有限公司首席科学家刘红超博士主持第二阶段的专题汇报。中国电子科技集团公司第十三研究所房玉龙研究员探讨“高质量SiC外延技术进展”，介绍了在提升SiC外延质量方面的技术突破；西安电子科技大学宋庆文教授分析“缺陷对SiC器件可靠性的影响”，揭示了外延缺陷与器件可靠性之间的关联；复旦大学张清纯教授阐述“碳化硅缺陷对器件性能影响及技术发展趋势”，探讨了缺陷作用机制及应对技术的发展方向。

刘红超博士主持

房玉龙研究员作专题报告

宋庆文教授作专题报告

张清纯教授作专题报告

上海积塔半导体有限公司吴贤勇厂长主持第三阶段的专题报告。中国电子科技集团公司第五十五研究所黄润华设计师介绍“碳化硅MOSFET器件技术现状及研究进展”，呈现了该类器件的技术现状与最新研究成果；大连理工大学王德君教授讲解“碳化硅表界面缺陷与MOS器件可靠性”，聚焦表界面缺陷对MOS器件可靠性的影响。

吴贤勇厂长主持

黄润华设计师作专题报告

王德君教授作专题报告

在陈秀芳教授主持的专题报告阶段，浙江大学余学功教授分享“直拉硅单晶的生长及相关缺陷的调控”，介绍了直拉硅单晶生长过程中缺陷的调控方法；天津工业大学梅云辉教授探讨“功率半导体封装技术与发展趋势”，分析了功率半导体封装领域的技术现状与未来趋势；湖南顶立科技股份有限公司戴煜教授浅析“面向低缺陷、大尺寸SiC单晶生长用TaC涂层件技术难点及解决途径”，提出了该类涂层件技术难题的应对思路。

余学功教授作专题报告

梅云辉教授作专题报告

戴煜教授作专题报告

7月13日上午，研讨会持续进行。徐现刚教授主持了以“晶体缺陷的起源、表征及未来发展趋势”为主题的研讨环节，专家们就SiC单晶生长与外延工艺中的缺陷控制、各类半导体及薄膜缺陷特征等展开深入探讨。研讨后，参会人员参观了晶体材料全国重点实验室科技展厅，直观了解了碳化硅材料研发的成果与进展。

参观结束后，房玉龙研究员主持了以“缺陷对器件性能、可靠性影响及未来发展趋势”为主题的研讨环节。与会专家聚焦缺陷对半导体器件性能的影响、封装互连可靠性挑战等议题展开研讨，尤其强调了Si、GaAs、GaN、金刚石等不同材料缺陷的对比分析，为跨材料缺陷控制技术的研发提供了重要参考，进一步凝聚了行业共识。

最后，江风益院士作会议总结。他充分肯定了会议取得的成效，高度赞扬了国内学术界和产业界在碳化硅行业所取得的丰硕成果及作出的重要贡献。同时，他希望大家在未来能够继续保持通力协作、相互配合的良好态势，牢牢将SiC产业掌握在中国手中。

本次研讨会共邀请来自广东省科学院半导体研究所、复旦大学、大连理工大学、中山大学、杭州奥趋光电等18家高校、科研院所和10家主要企业的专家参与，不仅梳理了碳化硅领域的技术瓶颈，更为破解关键难题提供了新思路，对提升我国宽禁带半导体领域的0到1创新能力、促进产业高质量发展具有重要意义。