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第五十二期“育晶论坛”成功举办。南京大学周峰副教授受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作了题为“宇航级宽禁带半导体GaN抗辐照功率电子器件研究”的报告。本次论坛由大平台徐明升教授主持。
报告伊始，周峰副教授指出，尽管GaN基功率电子器件在消费电子领域已取得广泛应用，但在高功率密度、高频工业场景下仍面临UIS耐量、浪涌电流、栅极可靠性等挑战。他强调，提升器件在复杂电气环境与辐射条件下的可靠性，是推动其走向航天、国防等高端应用的关键。
报告系统介绍了团队在国家大科学装置中开展的重离子、质子、伽马射线等辐照实验，以及自主搭建的紫外脉冲激光单粒子效应实验平台。通过研究p-GaN HEMT、MIS-HEMT、Diodes等多种器件的辐照特性，团队首次实现了耐压超过500V的抗辐照加固GaN HEMT器件，并在6英寸工艺平台上完成了工程化流片验证。
在讨论环节，现场师生围绕辐照实验设计、器件加固机制、GaN在航天电子装备中的实用化路径等问题，与周峰副教授展开了深入交流。
论坛结束后，徐明升教授向周峰副教授表示感谢并颁发了证书。
为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料全国重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。
