11月14日，纪念蒋民华先生九十周年系列活动、黄色动漫
第五十三期“育晶论坛”成功举办。Vergito Semiconductor公司资深顾问Troy Baker博士受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作了题为“HVPE GaN衬底与GaN-on-GaN器件”的报告。本次论坛由大平台陈秀芳教授主持。
报告系统介绍了氢化物气相外延（HVPE）技术在氮化镓（GaN）单晶衬底制备中的关键工艺，以及适用于高性能射频与功率器件的GaN-on-GaN技术路径。报告指出，尽管目前GaN-on-GaN器件尚未实现大规模商业化，但近年来的技术进展已展现出其在通信、能源等领域的巨大潜力。
Baker博士分享了在GaN半极性方向生长、氮化铝（AlN）晶体设备设计、衬底产业化等方面的丰富经验。他还展望了GaN-on-GaN技术对未来高性能电子器件市场的推动作用。
在讨论环节，现场师生就HVPE工艺的稳定性、GaN衬底成本控制、GaN-on-GaN器件在功率电子中的优势等问题，与Baker博士进行了热烈讨论。
论坛结束后，陈秀芳教授向Troy Baker博士表示感谢并颁发了证书。
为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料全国重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。
